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  • 12. Experimento 01 — Projeto de um amplificador diferencial BJT

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Modelo de pequenos sinais do BJT

Linearização no ponto-Q, parâmetros gm, rπ e ro e montagem do circuito equivalente AC.

Modelo de pequenos sinais do BJT

Linearização no ponto-Q, parâmetros gm, rπ e ro e montagem do circuito equivalente AC.

Um transistor é não linear, mas uma curva suave pode ser aproximada por sua tangente em uma vizinhança pequena. O modelo de pequenos sinais é essa linearização elétrica ao redor do ponto-Q.

Objetivos

  • separar grandezas totais, quiescentes e incrementais;
  • calcular gmg_mgm​, rπr_\pirπ​, rer_ere​ e ror_oro​;
  • desenhar o modelo híbrido-π\piπ;
  • transformar o circuito original no equivalente AC;
  • reconhecer quando a aproximação linear deixa de ser válida.

Grande sinal mais pequeno sinal

Usamos letras maiúsculas para grandezas contínuas e minúsculas para variações:

vBE(t)=VBEQ+vbe(t),v_{BE}(t)=V_{BEQ}+v_{be}(t),vBE​(t)=VBEQ​+vbe​(t), iC(t)=ICQ+ic(t).i_C(t)=I_{CQ}+i_c(t).iC​(t)=ICQ​+ic​(t).

O modelo incremental relaciona apenas vbev_{be}vbe​ e ici_cic​. Ele não recalcula o ponto-Q.

Transcondutância

Na região ativa,

IC=ISeVBE/VT.I_C=I_S e^{V_{BE}/V_T}.IC​=IS​eVBE​/VT​.

A inclinação no ponto-Q é

gm=dICdVBE∣Q=ICQVT.g_m=\left.\frac{dI_C}{dV_{BE}}\right|_Q =\frac{I_{CQ}}{V_T}.gm​=dVBE​dIC​​​Q​=VT​ICQ​​.

Assim, para variações pequenas,

ic≈gmvbe.i_c\approx g_m v_{be}.ic​≈gm​vbe​.

gmg_mgm​ é medido em siemens. Quanto maior a corrente quiescente, maior a transcondutância — e também maior a dissipação.

Resistência de entrada da base

Como ib=ic/βi_b=i_c/\betaib​=ic​/β,

rπ=vbeib=βgm.r_\pi=\frac{v_{be}}{i_b}=\frac{\beta}{g_m}.rπ​=ib​vbe​​=gm​β​.

No modelo T, a resistência incremental de emissor é aproximadamente

re=1gm≈VTIE.r_e=\frac{1}{g_m}\approx\frac{V_T}{I_E}.re​=gm​1​≈IE​VT​​.

Os modelos híbrido-π\piπ e T descrevem a mesma linearização; cada um pode simplificar topologias diferentes.

Resistência de saída e efeito Early

Curvas reais de coletor não são horizontais. Um modelo de primeira ordem usa

ro≈VAICQ,r_o\approx\frac{V_A}{I_{CQ}},ro​≈ICQ​VA​​,

onde VAV_AVA​ é a tensão de Early. Quando ror_oro​ é muito maior que as resistências externas no coletor, pode ser desprezado com erro pequeno e declarado.

Calculadora e modelo híbrido-π

Varie corrente, beta e tensão de Early e observe como o ponto-Q define os parâmetros incrementais.

Carregando simulacao...

Modelo híbrido-π\piπ

O modelo de baixa frequência contém:

  • rπr_\pirπ​ entre base e emissor;
  • uma fonte de corrente controlada gmvπg_m v_\pigm​vπ​ do coletor para o emissor;
  • ror_oro​ entre coletor e emissor, quando o efeito Early é considerado.

A tensão vπv_\pivπ​ é a variação incremental base–emissor. A fonte controlada não é uma fonte independente de energia; ela representa a conversão da variação de entrada em corrente de coletor usando a energia da alimentação DC.

Como montar o equivalente AC

Na banda em que capacitores de acoplamento e bypass podem ser aproximados por curtos:

  1. mantenha resistores e cargas;
  2. substitua capacitores de acoplamento e bypass por curtos;
  3. transforme fontes DC ideais de tensão em terra AC;
  4. transforme fontes DC ideais de corrente em circuitos abertos para o sinal;
  5. substitua cada BJT pelo modelo incremental calculado no ponto-Q;
  6. mantenha a fonte de sinal e sua resistência interna;
  7. identifique com clareza viv_ivi​, vov_ovo​ e a referência de terra AC.

“Zerar uma fonte” significa anular sua variação incremental, não remover fisicamente todos os ramos ligados à alimentação.

Exemplo

Para

ICQ=2 mA,β=150,VA=100 V,VT=25,9 mV,I_{CQ}=2\,\text{mA},\quad \beta=150, \quad V_A=100\,\text{V},\quad V_T=25{,}9\,\text{mV},ICQ​=2mA,β=150,VA​=100V,VT​=25,9mV,

temos

gm=2 mA25,9 mV≈77,2 mS,g_m=\frac{2\,\text{mA}}{25{,}9\,\text{mV}} \approx77{,}2\,\text{mS},gm​=25,9mV2mA​≈77,2mS, rπ=15077,2 mS≈1,94 kΩ,r_\pi=\frac{150}{77{,}2\,\text{mS}} \approx1{,}94\,\text{k}\Omega,rπ​=77,2mS150​≈1,94kΩ, re≈1gm≈12,95 Ω,r_e\approx\frac{1}{g_m}\approx12{,}95\,\Omega,re​≈gm​1​≈12,95Ω, ro≈100 V2 mA=50 kΩ.r_o\approx\frac{100\,\text{V}}{2\,\text{mA}} =50\,\text{k}\Omega.ro​≈2mA100V​=50kΩ.

Relação com parâmetros h

Em baixa frequência e sob hipóteses equivalentes,

hie≈rπ,hfe≈β,h_{ie}\approx r_\pi, \qquad h_{fe}\approx\beta,hie​≈rπ​,hfe​≈β,

e portanto

hfehie≈gm.\frac{h_{fe}}{h_{ie}}\approx g_m.hie​hfe​​≈gm​.

Materiais didáticos podem adotar ajustes empíricos para hieh_{ie}hie​ a partir de curvas de datasheet. Esses ajustes devem ser tratados como convenções do modelo, não como novas constantes físicas universais.

Domínio de validade

A expansão exponencial contém termos não lineares:

ic=ICQ(evbe/VT−1).i_c=I_{CQ}\left(e^{v_{be}/V_T}-1\right).ic​=ICQ​(evbe​/VT​−1).

Para ∣vbe∣≪VT|v_{be}|\ll V_T∣vbe​∣≪VT​, o primeiro termo domina. Quando a amplitude se torna comparável a dezenas de milivolts, aparecem compressão e harmônicos. O limite aceitável depende da distorção permitida, não de uma fronteira única.

Erros frequentes

  • calcular gmg_mgm​ com IBI_BIB​ em vez de ICI_CIC​;
  • usar uma corrente em mA como se estivesse em ampères;
  • reutilizar gmg_mgm​ depois de mudar o ponto-Q;
  • aterrar o emissor automaticamente, mesmo quando não há capacitor de bypass;
  • esquecer a resistência da fonte e a rede de polarização na entrada;
  • considerar ror_oro​ e depois omiti-lo silenciosamente na dedução.

Para fixar

Um BJT opera com IC=1 mAI_C=1\,\text{mA}IC​=1mA, β=100\beta=100β=100 e VA=80 VV_A=80\,\text{V}VA​=80V. Calcule gmg_mgm​, rπr_\pirπ​ e ror_oro​ a 25 ∘C25\,^\circ\text{C}25∘C.

Resposta

gm≈38,6 mSg_m\approx38{,}6\,\text{mS}gm​≈38,6mS, rπ≈2,59 kΩr_\pi\approx2{,}59\,\text{k}\Omegarπ​≈2,59kΩ e ro≈80 kΩr_o\approx80\,\text{k}\Omegaro​≈80kΩ.

No capítulo seguinte, esse modelo será inserido em um estágio emissor comum.

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